NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-JRI por Nanya Technology y AS4C512M16D4A-62BCNTR por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5AD512M16C4-JRI AS4C512M16D4A-62BCNTR
Marca Nanya Technology Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $75,58 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
Organización de memoria 512M x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
Tensión de alimentación 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C —
Encapsulado TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant Compliant
Tamaño de memoria — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
Latencia CAS — 18 ns
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C (Commercial)
Interfaz — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

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