NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16C4-JRI от Nanya Technology и AS4C512M16D4A-62BCNTR от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5AD512M16C4-JRI AS4C512M16D4A-62BCNTR
Бренд Nanya Technology Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $75,58 $8,10
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
Организация памяти 512M x 16 —
Скорость передачи данных 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
Напряжение питания 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C —
Корпус TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant Compliant
Размер памяти — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
Задержка CAS — 18 ns
Рабочая температура — 0°C to +95°C (Commercial)
Интерфейс — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену