NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-JRI par Nanya Technology et AS4C512M16D4A-62BCNTR par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5AD512M16C4-JRI AS4C512M16D4A-62BCNTR
Marque Nanya Technology Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $75,58 $8,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Débit de données 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
Tension d'alimentation 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C —
Boîtier TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant Compliant
Taille de mémoire — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
Latence CAS — 18 ns
Température de fonctionnement — 0°C to +95°C (Commercial)
Interface — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

Fiches techniques et ressources

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