NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-JRI von Nanya Technology und AS4C512M16D4A-62BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ AktivAlliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-JRI | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $75,58 | $8,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Speichergröße | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| CAS-Latenz | — | 18 ns |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| Schnittstelle | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |