NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR 比較

詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-JRI メーカー: Nanya Technology および AS4C512M16D4A-62BCNTR メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ 生産中
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5AD512M16C4-JRI AS4C512M16D4A-62BCNTR
ブランド Nanya Technology Alliance Memory
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $75.58 $8.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 —
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
電源電圧 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
動作温度範囲 -40°C to +95°C —
パッケージ TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant Compliant
メモリサイズ — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Rate — 1600 MHz (DDR4-3200)
CASレイテンシ — 18 ns
動作温度 — 0°C to +95°C (Commercial)
インターフェース — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

データシート&リソース

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