NT5AD512M16C4-JRI vs AS4C512M16D4A-62BCNTR 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16C4-JRI 제조: Nanya Technology 및 AS4C512M16D4A-62BCNTR 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16C4-JRI | AS4C512M16D4A-62BCNTR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Alliance Memory |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $75.58 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Rate | — | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| CAS 레이턴시 | — | 18 ns |
| 동작 온도 | — | 0°C to +95°C (Commercial) |
| 인터페이스 | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Moisture Sensitivity Level | — | 3 (168 Hours) |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ns |
| Standard Pack | — | 1500/reel (Tape & Reel) |