NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CN-FLI por Nanya Technology y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16CN-FLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb (256M x 16) | 4 Gb |
| Tensión de alimentación | 1.35V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| I/O Width | 16 bits | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latencia CAS | Programmable (11, 12, 13) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Encapsulado | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pines | — | 96 |