NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CN-FLI par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CN-FLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb (256M x 16) | 4 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.35V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| I/O Width | 16 bits | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latence CAS | Programmable (11, 12, 13) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Boîtier | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |