NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CN-FLI von Nanya Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16CN-FLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb (256M x 16) | 4 Gb |
| Versorgungsspannung | 1.35V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| I/O Width | 16 bits | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS-Latenz | Programmable (11, 12, 13) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Gehäuse | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |