NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細な並列比較: NT5CC256M16CN-FLI メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5CC256M16CN-FLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.20 | $14.32 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb (256M x 16) | 4 Gb |
| 電源電圧 | 1.35V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| データレート | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| I/O Width | 16 bits | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CASレイテンシ | Programmable (11, 12, 13) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| パッケージ | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| 動作温度 | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| ピン数 | — | 96 |