NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CN-FLI от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5CC256M16CN-FLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb (256M x 16) | 4 Gb |
| Напряжение питания | 1.35V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| I/O Width | 16 bits | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Задержка CAS | Programmable (11, 12, 13) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Корпус | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C (case) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Организация памяти | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Количество выводов | — | 96 |