NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology y AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT6AN8T6WBJ1B1 | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,75 | $7,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latencia CAS | 22 cycles | 18 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TC) | 0°C to 95°C |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Interfaz | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Packaging | — | Tray |