NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN 比較

詳細な並列比較: NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology および AS4C512M16D4A-62BCN メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ 生産中
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT6AN8T6WBJ1B1 AS4C512M16D4A-62BCN
ブランド Nanya Technology Alliance Memory
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.75 $7.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (512M x 16) 8 Gbit
データレート 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
電源電圧 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
CASレイテンシ 22 cycles 18 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
パッケージ 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
動作温度 0C to +95C (TC) 0°C to 95°C
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
RoHS ステータス Compliant Compliant
メモリ構成 — 512M x 16
実装タイプ — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
インターフェース — POD (Pseudo Open Drain)
Packaging — Tray

データシート&リソース

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