NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology et AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT6AN8T6WBJ1B1 AS4C512M16D4A-62BCN
Marque Nanya Technology Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,75 $7,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gb (512M x 16) 8 Gbit
Débit de données 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Latence CAS 22 cycles 18 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
Boîtier 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Température de fonctionnement 0C to +95C (TC) 0°C to 95°C
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
Statut RoHS Compliant Compliant
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Type de montage — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Interface — POD (Pseudo Open Drain)
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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