NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT6AN8T6WBJ1B1 от Nanya Technology и AS4C512M16D4A-62BCN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT6AN8T6WBJ1B1 AS4C512M16D4A-62BCN
Бренд Nanya Technology Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,75 $7,20
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gb (512M x 16) 8 Gbit
Скорость передачи данных 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Задержка CAS 22 cycles 18 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
Корпус 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Рабочая температура 0C to +95C (TC) 0°C to 95°C
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
Статус RoHS Compliant Compliant
Организация памяти — 512M x 16
Тип монтажа — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Интерфейс — POD (Pseudo Open Drain)
Packaging — Tray

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену