NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology und AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT6AN8T6WBJ1B1 | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,75 | $7,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| Datenrate | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS-Latenz | 22 cycles | 18 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TC) | 0°C to 95°C |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Schnittstelle | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Packaging | — | Tray |