NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology e AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT6AN8T6WBJ1B1 AS4C512M16D4A-62BCN
Marca Nanya Technology Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,75 $7,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gb (512M x 16) 8 Gbit
Taxa de dados 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Latência CAS 22 cycles 18 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
Encapsulamento 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Temperatura de operação 0C to +95C (TC) 0°C to 95°C
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
Status RoHS Compliant Compliant
Organização da memória — 512M x 16
Tipo de montagem — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Interface — POD (Pseudo Open Drain)
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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