NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN 对比

详细并排对比 NT6AN8T6WBJ1B1 出自 Nanya Technology 和 AS4C512M16D4A-62BCN 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ 量产中
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 量产中

规格对比

参数 NT6AN8T6WBJ1B1 AS4C512M16D4A-62BCN
品牌 Nanya Technology Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.75 $7.20
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gb (512M x 16) 8 Gbit
数据速率 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
电源电压 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
CAS 延迟 22 cycles 18 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
封装 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
工作温度 0C to +95C (TC) 0°C to 95°C
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
RoHS 状态 Compliant Compliant
存储组织 — 512M x 16
安装类型 — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
接口 — POD (Pseudo Open Drain)
Packaging — Tray

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