NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology y W634GU6RB09J por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Winbond |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,75 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latencia CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Interfaz | — | Parallel |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Número de pines | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |