NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology et W634GU6RB09J par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Winbond |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,75 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Débit de données | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latence CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Sans halogène | — | Yes |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |