NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT6AN8T6WBJ1B1 от Nanya Technology и W634GU6RB09J от Winbond. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Winbond |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,75 | $8,10 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Задержка CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Рабочая температура | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Без галогенов | — | Yes |
| Организация памяти | — | 256M x 16 |
| Количество выводов | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |