NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J 比較

詳細な並列比較: NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology および W634GU6RB09J メーカー: Winbond。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ 生産中
Winbond
W634GU6RB09J W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT6AN8T6WBJ1B1 W634GU6RB09J
ブランド Nanya Technology Winbond
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.75 $8.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (512M x 16) 4Gbit (256M x 16)
データレート 3200 MT/s 1066 MHz (DDR3L-2133)
電源電圧 1.2 V 1.35V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
CASレイテンシ 22 cycles 20 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) 8 and 4
パッケージ 96-ball FBGA 96-VFBGA (7.5x13mm)
動作温度 0C to +95C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
RoHS ステータス Compliant Compliant
インターフェース — Parallel
実装タイプ — Surface Mount
ハロゲンフリー — Yes
メモリ構成 — 256M x 16
ピン数 — 96
Ball Pitch — 0.8 mm

データシート&リソース

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