NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology und W634GU6RB09J von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Winbond |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,75 | $8,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Datenrate | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS-Latenz | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |