NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology e W634GU6RB09J por Winbond. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT6AN8T6WBJ1B1 W634GU6RB09J
Marca Nanya Technology Winbond
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,75 $8,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 8 Gb (512M x 16) 4Gbit (256M x 16)
Taxa de dados 3200 MT/s 1066 MHz (DDR3L-2133)
Tensão de alimentação 1.2 V 1.35V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Latência CAS 22 cycles 20 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) 8 and 4
Encapsulamento 96-ball FBGA 96-VFBGA (7.5x13mm)
Temperatura de operação 0C to +95C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
Status RoHS Compliant Compliant
Interface — Parallel
Tipo de montagem — Surface Mount
Livre de halogênio — Yes
Organização da memória — 256M x 16
Número de pinos — 96
Ball Pitch — 0.8 mm

Fichas técnicas e recursos

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