YZ38F16SBB-9MFD-M vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de YZ38F16SBB-9MFD-M por Loongtion y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | YZ38F16SBB-9MFD-M | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Tensión de alimentación | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | -9 (DDR3-1866) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Interfaz | JEDEC DDR3 | — |
| ZQ Calibration | External 240Ω ±1% resistor | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 96 | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Número de pines | — | 96 |