YZ38F16SBB-9MFD-M vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок YZ38F16SBB-9MFD-M от Loongtion и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | YZ38F16SBB-9MFD-M | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Loongtion | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Корпус | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Напряжение питания | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | -9 (DDR3-1866) | — |
| Рабочая температура | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Интерфейс | JEDEC DDR3 | — |
| ZQ Calibration | External 240Ω ±1% resistor | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 96 | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Количество выводов | — | 96 |