YZ38F16SBB-9MFD-M vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von YZ38F16SBB-9MFD-M von Loongtion und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | YZ38F16SBB-9MFD-M | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Loongtion | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Versorgungsspannung | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | -9 (DDR3-1866) | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Schnittstelle | JEDEC DDR3 | — |
| ZQ Calibration | External 240Ω ±1% resistor | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin-Anzahl | 96 | — |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |