YZ38F16SBB-9MFD-M vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de YZ38F16SBB-9MFD-M par Loongtion et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | YZ38F16SBB-9MFD-M | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Loongtion | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Tension d'alimentation | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | -9 (DDR3-1866) | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Interface | JEDEC DDR3 | — |
| ZQ Calibration | External 240Ω ±1% resistor | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | — | 96 |