YZ38F16SBB-9MFD-M vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de YZ38F16SBB-9MFD-M por Loongtion e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | YZ38F16SBB-9MFD-M | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,20 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Tensão de alimentação | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | -9 (DDR3-1866) | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Interface | JEDEC DDR3 | — |
| ZQ Calibration | External 240Ω ±1% resistor | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 96 | — |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Número de pinos | — | 96 |