YZ38F16SBB-9MFD-M vs K4B4G1646E-BYMA 对比

详细并排对比 YZ38F16SBB-9MFD-M 出自 Loongtion 和 K4B4G1646E-BYMA 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Loongtion
YZ38F16SBB-9MFD-M YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 量产中

规格对比

参数 YZ38F16SBB-9MFD-M K4B4G1646E-BYMA
品牌 Loongtion Samsung Electronics
分类 DRAM Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.20 $14.32
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
存储组织 256M x 16 256M x 16
封装 96-ball FBGA FBGA-96
电源电压 1.35V / 1.5V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade -9 (DDR3-1866) —
工作温度 -40°C to +85°C 0°C to +95°C
接口 JEDEC DDR3 —
ZQ Calibration External 240Ω ±1% resistor —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
引脚数量 96 —
数据速率 1866 Mbps 1866 Mbps/pin
CAS 延迟 [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
引脚数 — 96

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