YZ38F16SBB-9MFD-M vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細な並列比較: YZ38F16SBB-9MFD-M メーカー: Loongtion および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Loongtion
YZ38F16SBB-9MFD-M YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ YZ38F16SBB-9MFD-M K4B4G1646E-BYMA
ブランド Loongtion Samsung Electronics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.20 $14.32
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
パッケージ 96-ball FBGA FBGA-96
電源電圧 1.35V / 1.5V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade -9 (DDR3-1866) —
動作温度 -40°C to +85°C 0°C to +95°C
インターフェース JEDEC DDR3 —
ZQ Calibration External 240Ω ±1% resistor —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 96 —
データレート 1866 Mbps 1866 Mbps/pin
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
ピン数 — 96

データシート&リソース

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