1ED3142MC12HXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3142MC12HXUMA1 توسط Infineon و 2ED21064S06JXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED3142MC12HXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
تعداد خروجی‌ها 2 (separate source/sink) —
Configuration Inverting, Non-Inverting Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
بسته‌بندی PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
عملکرد — High-Side and Low-Side Gate Driver
توپولوژی — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
دمای کاری — -40C to +125C
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS — ROHS3 Compliant
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت