1ED3142MC12HXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 2ED21064S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3142MC12HXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
מספר יציאות 2 (separate source/sink) —
Configuration Inverting, Non-Inverting Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
מארז PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
פונקציה — High-Side and Low-Side Gate Driver
טופולוגיה — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS — ROHS3 Compliant
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר