1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7146GXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7146GXTMA1 1EDN7126GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 —
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Truly Differential Input (TDI)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
عملکرد — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت