1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7146GXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN7146GXTMA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | Truly Differential Input (TDI) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | — |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C | — |
| מארז | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| פונקציה | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Peak Source Current | — | 1.5 A |
| Peak Sink Current | — | 1.5 A |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |