1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7146GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7126GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7146GXTMA1 1EDN7126GXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 —
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Truly Differential Input (TDI)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +125 C —
پیکیج PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
فنکشن — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں