2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDN7533RXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7511BXUSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDN7533RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
دمای اتصال کاری -40 C to +150 C —
بسته‌بندی PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
تعداد خروجی‌ها — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
زمان صعود — [DATA_NEEDED: rise time ns]
زمان افت — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
ولتاژ تغذیه کاری — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
محدوده دمای کاری — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت