2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDN7533RXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7511BXUSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDN7533RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
טמפרטורת צומת פעולה -40 C to +150 C —
מארז PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
מספר יציאות — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
זמן עלייה — [DATA_NEEDED: rise time ns]
זמן ירידה — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
מתח אספקה פעיל — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר