BSC020N03LSGATMA1 vs IQE008N03LM5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC020N03LSGATMA1 توسط Infineon و IQE008N03LM5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC020N03LSGATMA1 IQE008N03LM5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating)
بسته‌بندی / کیس PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (per LCSC listing)
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 253 A
On-Resistance RDS(on) Typical — 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 89 W
بسته‌بندی — PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V (typical MOSFET rating)
Technology — OptiMOS 5, Source-Down

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت