BSC040N08NS5ATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC040N08NS5ATMA1 توسط Infineon و ISC058N04NM5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC040N08NS5ATMA1 | ISC058N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC040N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | 63 A |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | 121 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 4 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 104 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +175 C | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| سطح MSL | 1 | — |
| Primary Application | Synchronous rectification in telecom and server power supplies | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 17 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | — | 5.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.4 V |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 42 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +175C |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL per JEDEC J-STD-020 |
| Gate Drive Level | — | Normal Level (10V VGS recommended) |