BSC060N10NS3GATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC060N10NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC094N06LS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC060N10NS3GATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 14.9 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6 mOhm —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 125 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 3.5 V —
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C -55 °C to +150 °C
Technology OptiMOS 3 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 5 (logic-level)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن [DATA_NEEDED: halogen status] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت