BSC060N10NS3GATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC060N10NS3GATMA1 bằng Infineon và BSC094N06LS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC094N06LS5ATMA1 - 60V 9.4mΩ 47A N-Channel OptiMOS 5 | Infineon
BSC094N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC060N10NS3GATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 14.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 125 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 3.5 V | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +150 C | -55 °C to +150 °C |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 (logic-level) |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss value] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Part Number | — | BSC094N06LS5ATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.4 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 36 W |