BSC0902NSATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0902NSATMA1 توسط Infineon و BSC027N10NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC0902NSATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | NRND |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| RDS(on) @ VGS=10V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (Tj) | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC qualified for target applications | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free lead plating) | — |
| بدون هالوژن | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 (100V) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 194 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |