BSC0902NSATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0902NSATMA1 מאת Infineon ו BSC027N10NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC0902NSATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל NRND
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 48 W 214 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
מארז PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
נטול הלוגנים Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (100V)
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר