BSC097N06NSATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC097N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC360N15NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC097N06NSATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی / کیس PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (Unlimited) 1
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
بسته‌بندی — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت