BSC097N06NSATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC097N06NSATMA1 מאת Infineon ו BSC360N15NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC097N06NSATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז / Case PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (Unlimited) 1
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
מארז — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר