BSC520N15NS3G vs BSC360N15NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC520N15NS3G توسط Infineon و BSC360N15NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC520N15NS3G BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G - 150V N-Ch 21A OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC520N15NS3G ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC520N15NS3G BSC360N15NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC520N15NS3 G BSC360N15NS3GATMA1
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
سطح MSL — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت