BSZ130N03LSGATMA1 vs IPD30N08S2L21ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ130N03LSGATMA1 توسط Infineon و IPD30N08S2L21ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ130N03LSGATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
جریان پیوسته درین (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction) -55C to +175C
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Series — OptiMOS
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V — 26 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (L series)
Gate Charge (Qg) typ — 56 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Maximum Junction Temperature — +175C
تعداد پایه — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت