BSZ130N03LSGATMA1 vs IPD30N08S2L21ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ130N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD30N08S2L21ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ130N03LSGATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
پیکیج PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55C to +175C
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Series — OptiMOS
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V — 26 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (L series)
Gate Charge (Qg) typ — 56 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Maximum Junction Temperature — +175C
پن کی تعداد — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں