BTS3118NHUMA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BTS3118NHUMA1 توسط Infineon و BSS214NWH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BTS3118NHUMA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | Power MOSFET Drivers | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Switch Type | Low-Side Power Switch | — |
| پیکربندی خروجی | 1:1 | — |
| تعداد خروجی‌ها | 1 | — |
| Continuous Drain Current | 2.17 A | — |
| Operating Voltage (Vbb) | 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] | — |
| Input Logic Level | Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) | — |
| Input Protection | ESD protected | — |
| Thermal Protection | Thermal shutdown with latch | — |
| Fault Protection | Overload, short-circuit, overvoltage, current limit | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT223-4 | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40 C to +150 C junction | -55C to +150C (junction) |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Process Technology | Smart SIPMOS (vertical N-channel) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |